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Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究

The FTIR Study on Morphologies of Si（111） Surfaces Chemically Prepared in NH4F-HCl Solutions

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【作者】 李静； 吴孙桃； 叶建辉； S.F.YLi；

【Author】 LI Jing 1,2,3 WU Suntao 1 YE Jianhui 2 LI Fongyau Sam 3 ( 1 Pen-Tung Sah MEMS Research Center,Xiamen University,Xiamen,361005,CHN) ( 2 Institute of Materials Research and Engineering,National University of Singapore,119206,SGP) ( 3 Department of Chemistry,National University of Singapore,119206,SGP)

【机构】 厦门大学萨本栋微机电研究中心； 新加坡国立大学材料与工程研究所； 新加坡国立大学化学系 厦门； 361005； 新加坡； 119206； 新加坡国立大学化学系； 119206； 厦门； 361005；

【摘要】 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面粗糙度较大 ,与通过扫描隧道显微镜 (STM)技术测量的结果基本一致

【Abstract】 The morphologies of Si(111) surface etched in several NH 4F-HCl solutions have been studied by using polarized attenuated reflection FTIR spectroscopy.Analysis of the polarization position and IR roughness factor indicates that lower pH value leads to rough surfaces,which is consistent with the roughness measured with STM.

【关键词】 偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱； 硅(111)表面； 扫描隧道显微镜；
【Key words】 FTIR； Si(111)surface； STM；
【基金】 福建省自然科学基金会 ( E0 110 0 0 4);国家自然科学基金重大研究计划 ( 90 2 0 60 39);国家重点基础研究发展规划( 0 0 1CB610 5 0 5 )的资助
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TN305.2
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】154
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