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微透镜列阵浮雕深度控制的新方法
A new method for control relief depth of micro-lens array
【摘要】 在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法——基底曝光法。在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面。该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列。
【Abstract】 On the basis of studying lithographic threshold of photoresists, a new methodpreexposure method that can effectively overcome nonlinear property and improve relief depth of micro-lens array is proposed. Before exposure process, certain amount of exposure is applied to the whole photoresist for rising base plane of photoresist. Micro-lens array with surface shape error less than 3% can be manufactured with this method.
【关键词】 微透镜;
浮雕深度;
光刻;
曝光阈值;
微光学元件;
【Key words】 Micro-lens; Relief depth; Photolithography; Exposure threshold; Micro-optic elements;
【Key words】 Micro-lens; Relief depth; Photolithography; Exposure threshold; Micro-optic elements;
【基金】 国防预研课题资助;中国科学院知识创新工程方向新项目资助
- 【文献出处】 光电工程 ,Opto-electronic Engineering , 编辑部邮箱 ,2003年04期
- 【分类号】TN305.7
- 【被引频次】12
- 【下载频次】243