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GaN的声表面波特性研究

Study of the Surface Acoustic Wave Properties of GaN

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【作者】严莉；陈晓阳；何世堂；李红浪；韩培德；陈振；陆大成；刘祥林；王晓晖；李昱峰；袁海荣；陆沅；黎大兵；朱勤生；王占国；

【Author】 YAN Li1, CHEN Xiaoyang1, HE Shitang2, LI Honglang2, HAN Peide 3, CHEN Zhen3,LU Dacheng3, LIU Xianglin3, WANG Xiaohui3, LI Yufeng3, YUAN Hai rong3,  LU Yuan3, LI Dabing3, ZHU Qinsheng3, WANG Zhanguo3(1 Surface Acoustic Wave Corporation, Institute No.23 of China Aerosp ace Corporation (CASC), Beijing100854, China;2 Institute of Acoustics, Chinese Academy of Sciences, Beijing100083, China ;3 Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing100083, China)

【机构】航天航空总公司二院23所声表面波公司；中国科学院声学研究所；中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室；中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100854；北京100854；北京100083；北京100083；

【摘要】采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2)。所测量的声表面波速度(v)为5667m/s,机电耦合系数(κ2)为1 9%。更多还原

【Abstract】 High quality and high resistivity (0001) GaN film was grown on (0001) plane sapp hire by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). To measure the surface a coustic wave (SAW) properties accurately, metallized interdigital transducers (IDT) we re deposited on the GaN surface. The pitch of the IDT was 15μm (=λ/4,λ:S AW w avelength), and the number of IDT finger pairs was 40. The surface acoustic wave velocity on free surface and that on metal surface were measured by pulse metho d respectively, and then the electromechanical coupling coefficient was calculat ed. The surface acoustic wave velocity (v) and electromechanical coupling co efficient (κ2) were measured as 5 667m/s and 19% respectively.更多还原

【关键词】 GaN；声表面波速度；机电耦合系数；
【Key words】 GaN； surface acoustic wave velocity； electro mechanical coupling coefficient；

【基金】国家自然科学基金(60086001,69906002);国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目

【文献出处】发光学报 ,Chinese Journal of Luminescence , 编辑部邮箱 ,2003年02期

【分类号】O472.3
【被引频次】5
【下载频次】136

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