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掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

Effect of Ag-doping on BaTiO3-based PTCR Ceramics by Once-through Method in Sol-gel Process

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【作者】 赵丽丽； 畅柱国； 吴淑荣； 熊为淼；

【Author】 ZHAO Li-li 1, CHANG Zhu-guo2, WU Shu-rong2, XIONG Wei-miao2 (1. Department of Electronics, Northwest University, Xi抋n 710069, China; 2. Department of Chemistry, Northwest University Xi抋n 710069, China)

【机构】 西北大学电子科学系； 西北大学化学系； 西北大学化学系 陕西西安710069； 陕西西安710069； 陕西西安710069；

【摘要】 为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。

【Abstract】