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CeO2掺杂对Nb-TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

The Effect of CeO2 Doping on the Electrical Properties of Nb-TiO2 Based Varistor Ceramics

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【作者】 李红耘罗绍华尧巍华张中太熊西周庄严

【Author】 LI Hong-yun1, LUO Shao-hua2, YAO Wei-hua2,ZHANG Zhong-tai2, XIONG Xi-zhou1, ZHUANG Yan1 (1. Guangzhou Sunrise Electronic Co. Ltd., Guangzhou 510335, China;2. Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)

【机构】 广州新日电子有限公司清华大学材料科学与工程系广州新日电子有限公司 广东广州510335北京100084广东广州510335广东广州510335

【摘要】 在x(CeO2)为0~1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用。当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻。

【Abstract】 The effect of CeO2 doping (0~1.5 mol%) on the electrical properties of Nb-TiO2 based varistor ceramics was investigated. The measurement and SEM observation show that the introduction of CeO2 makes the microstructure more homogenous of the Nb-TiO2 ceramic system. A second phase composed of Ce, Ti and Si has been found, which strongly influence nonlinear property. A uniform grain distribution and a lower varistor voltage of 15 V/mm are obtained when the doped CeO2 is 0.4 mol%.

【关键词】 压敏电阻微观结构电性能
【Key words】 varistorsmicrostructureelectrical property
  • 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,2003年07期
  • 【分类号】TM54
  • 【被引频次】9
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