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LPCVD水解法制备TiO2薄膜

Growth of Titanium Dioxide Thin Films by LPCVD

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【作者】 李文漪李刚蔡峋孙彦平赵君芙

【Author】 LI Wen-yi+1, LI Gang+2, CAI Xun+1, SUN Yan-ping+3, ZHAO Jun-fu+3 (1^Open Lab.of the Ministry of Education for High Temperature Materials and Testing,Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030,China; 2^Instrumental Analysis Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200030,China;3^Department of Applied Chemidstry,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China)

【机构】 上海交通大学教育部高温材料及高温测试开放实验室上海交通大学分析测试中心太原理工大学化学工程与技术学院太原理工大学化学工程与技术学院 上海200030上海200030山西太原030024山西太原030024

【摘要】 本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛 (TTIP)制备TiO2 薄膜 ,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究 ,计算出TTIP水解反应表观活化能为 5 9 85kJ mol。沉积温度不仅影响反应速率 ,还对TiO2 薄膜结构、表面形貌有决定性的作用。XRD和Raman分析表明 :TTIP水解法制备TiO2 薄膜 ,薄膜结构主要依赖于沉积温度。 180℃~ 2 2 0℃沉积TiO2 薄膜为非晶态 ,2 40℃~ 3 0 0℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构。在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现 ,水分压为零时 ,TTIP发生热解反应 ,TiO2 沉积率不为零 ,热解反应 2 40℃无锐钛矿特征峰出现。这说明水解反应制备TiO2 有利于降低锐钛矿的生长温度。氧分子的加入可以消除TiO2 薄膜表面的“针孔”。

【Abstract】 TiO-2 thin films were deposited by low pressure chemical vapor deposition using TTIP(titanium t-isopropoxide) and water as reactants on glass and Si substrates.The film growth was performed in the range of 180-300℃ in order to study the effects of temperature on the growth rate.The average activative energy is 59^85KJ/mol.AFM and XRD experiments show that the substrate temperature has obvious effects not only on growth rate,but also on the microstructure and crystalline structure of TiO-2 films.Water vapor introduced into the reaction system leads to a higher growth rate over the H-2O pressure range 0-12Pa.The addition of extra oxygen can diminish the pinhole on the TiO-2 films,and has little effect on the growth rate.

  • 【文献出处】 材料科学与工程学报 ,Materials Science and Engineering , 编辑部邮箱 ,2003年03期
  • 【分类号】TB43
  • 【被引频次】21
  • 【下载频次】250
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