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半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展
Progress in Research on Crystal Growth and Properties of Semiconductor ZnO
【摘要】 ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。
【Abstract】 Since ZnO is a direct semiconductor with a wide band gap energy of 3.37eV and a excition binding energy of 60meV at room temperature.it has potential for visible or ultraviolet light emission.This paper briefly describes growth methods and research progress in semiconductor ZnO crystal materials.
【关键词】 ZnO晶体；
直接宽带隙材料；
半导体材料；
【Key words】 ZnO crystal； direct wide band gap material； semiconductor material；
【Key words】 ZnO crystal； direct wide band gap material； semiconductor material；
【基金】 北京市教委资助项目
- 【文献出处】 材料导报 ,Materials Review , 编辑部邮箱 ,2003年02期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】22
- 【下载频次】563