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二甲基亚砜中半导体上脉冲电沉积Bi薄膜

Pulse Electrodepositing Bismuth Film on the Silicon

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【作者】 袁定胜潘文杰刘冠昆刘鹏童叶翔

【Author】 YUAN Ding-sheng, PAN Wen-jie, LIU Guan-kun, LIU Peng, TONG Ye-xiang(College of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou 510275, China)

【机构】 中山大学化学与化学工程学院中山大学化学与化学工程学院 广东 广州 510275广东 广州 510275广东 广州 510275

【摘要】 从原有的化学镀锡的工业配方出发,对其用量进行改良,特别是镀液的pH值调试,配体的使用和还原剂的用量,在硅片上沉积出一层光亮而且致密的铜薄膜。结果表明,在二甲基亚砜中硅铜基体上的电沉积铋薄膜均匀、致密、粘附力强,XRD测试表明铋以晶体析出。

【Abstract】 First industrial formula of electroless copper plating was improved to obtain a bright and compact copper film on the silicon slice, especially for the pH value, complexing agent and reductant. Later bismuth film was elec-trodeposited on the silicon/copper substrate in a non-aqueous solution. Results showed that the bismuth film was uni-form and compact and good adhesion to matrix, and the bismuth was granule form.

【关键词】 化学镀电沉积
【Key words】 electroless platingelectrodepositionbismuth
【基金】 中山大学化学与化学工程学院综合化学创新性实验研究基金
  • 【文献出处】 材料保护 ,Materials Protection , 编辑部邮箱 ,2003年05期
  • 【分类号】TQ153.1
  • 【被引频次】1
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