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用Hopkinson杆冲击加载研究高量程微加速度计芯片的抗过载能力

Study of Shock-resistibility of High-g Microaccelerometer Chip Through Impact Using Hopkinson Bar

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【作者】 郇勇张泰华杨业敏曾昭君

【Author】 HUAN Yong 1 ZHANG Taihua 1 YANG Yemin 1 ZENG Zhaojun 2 1. State Key Laboratory of Nonlinear Mechanics (LNM), Institute of Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, P.R.China; 2. Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, P.R.China)

【机构】 中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京大学微电子学研究所 北京100080北京100080北京100871

【摘要】 采用体硅微机械加工技术制作田字形结构的高量程微加速度计芯片。为了研究芯片的抗过载能力 ,使用Hopkinson杆对其施加冲击载荷 ,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。结果显示 ,芯片破坏的临界载荷为 2 0 0kgn。裂纹和断裂主要发生在十字架中心、边框的 4个角以及十字梁和边框的连接部位。

【Abstract】 Cross-shaped, high-g microaccelerometer chips have been developed using silicon micromachining techniques. In order to determine the Shock-resistibility of the chip, tests were performed using Hopkinson bar. The acceleration was estimated according to the theory of one-dimensional stress wave. The results show that the critical load resulting in chip failure is about 200,000 g n.Cracks concentrate on the center of cross, corners of frame and juncture between cross and frame.

【基金】 国家自然科学基金 (10 2 42 0 0 1,10 172 0 86 ) ;中国科学院知识创新工程 (KJCX2 -SW -L2 )资助;“十五”国防科工委预研项目 413180 80 1(2 )的共同资助
  • 【文献出处】 传感技术学报 ,Journal of Transcluction Technology , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TH824.2
  • 【被引频次】28
  • 【下载频次】316
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