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双E型加速度传感器硅芯片的优化设计

Optimized Design of Dual-E Silicon Ccelerometer Chip

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【作者】 唐世洪张克梅邓永和谭子尤

【Author】 TANG Shihong\ CHANG Kemei\ DENG Yonghe\ TAN Ziyou (Lab.of SensorTechnology, Dept. of Phys.and Electronics Engnin., Jisshou University,Jishou Hunan 416000,P.R.China)

【机构】 吉首大学物理与电子工程系传感技术实验室吉首大学物理与电子工程系传感技术实验室 湖南吉首市416000湖南吉首市416000

【摘要】 介绍了最新优化设计的双 E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度 ,即可制得不同量程的双 E型敏感硅芯片和加速度传感器。

【Abstract】 The new silicon chip of dual-E detailed introduction of the structure and the realization of the technology is reported. Producing the chip and the sensitive element of different scales by controlling the thickness of different sensitive films.

【基金】 专利号 :ZL0 12 4 9378.3
  • 【文献出处】 传感技术学报 ,Journal of Transcluction Technology , 编辑部邮箱 ,2003年01期
  • 【分类号】TP212.12
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】63
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