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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

Electronic Structure and Characteristic of Co Chemisorptionon Si (100) Surface

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【作者】 危书义马丽杨宗献戴宪起张开明

【Author】 Wei Shuyi 1,Ma Li 1,Yang Zongxian 1,Dai Xianqi 1 and Zhang Kaiming 2(1 College of Physics & Information Engineering,Henan Normal University,Xinxiang 453002,China) (2 Applied Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China)

【机构】 河南师范大学物理与信息工程学院复旦大学应用表面物理国家重点实验室 新乡453002新乡453002上海200433

【摘要】 用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .

【Abstract】 The adsorption of one monolayer Co atoms on an ideal Si (100) surface is studied by using the self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital method.Energies of adsorption systems of a Co atom on different sites are calculated.It is found that the adsorbed Co atoms are more favorable on C site (four-fold site) than on any other sites on Si(100) surface and a mixed layer of Co and might exist at Co/Si(100) interface.The charge transfer and the layer projected density of states are also studied.

【基金】 河南省自然科学基金资助项目 (批准号 :0 1110 5 1111)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年10期
  • 【分类号】O472.1
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】157
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