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155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)

1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity

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【作者】 左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明

【Author】 Zuo Yuhua 1,Cai Xiao 1,Mao Rongwei 1,Huang Changjun 1,Cheng Buwen 1, Li Chuanbo 1,Luo Liping 1,Gao Junhua 2,Bai Yunxia 2,Jiang Lei 2, Ma Chaohua 2,Wang Liangchen 2,Yu Jinzhong 1 and Wang Qiming 1(1 State Key Joint Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) (2 National Research Center for Optoelectronic Technology,Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083

【摘要】 介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器 .F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 .利用非晶硅的热光效应 ,通过对Si腔加热 ,改变F P腔的折射率 ,从而引起透射峰位的红移 .该原型器件调谐范围为 1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽 )为 9nm ,加热效率约为 0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜 )生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径 ;通过改进加热器所处位置及增强散热能力 ,有望进一步提高加热效率

【Abstract】 A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property of a-Si,the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating;the transmittance resonant peak will therefore shift substantially.The measured tuning rang is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmissi on peak is 9nm,and heating efficiency is 0.1K/mW.The large FWHM is mainly due to th e non-ideal coating deposition and mirror undulation.Possible improvements to increase the efficiency of heating are suggested.

【基金】 国家重点基础研究发展规划 (No .G2 0 0 0 0 36 6 0 3);国家自然科学基金 (批准号 :96 10 4 0 0 3);国家高技术研究发展计划 (No .2 0 0 2AA312 0 10 )资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年09期
  • 【分类号】TN713
  • 【被引频次】10
  • 【下载频次】164
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