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溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

Preparation and Properties of GaN Films on GaAs (110) Substrates

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【Author】 Yang Yingge 1,Ma Honglei 1,Xue Chengshan 2,Zhuang Huizhao 2,Hao Xiaotao 1 and Ma Jin 1Project supported by National Natural Science Foundation of China (No.6771006) Received 9 June 2002,revised manuscript received 6 August 2002○c 2003 The Chinese Institute of Electronics(1 School of Physics and Microelectronics,Shandong University,Ji’nan 250100,China) (2 Institute of Semiconductors,Shandong Normal University,Ji’nan 250014,China)

【机构】山东大学物理与微电子学院；山东师范大学半导体研究所；山东大学物理与微电子学院济南250100；济南250100；济南250014；济南250100；

【摘要】报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰 .更多还原

【Abstract】 High quality GaN films are prepared by sputtering post annealing reaction technique on GaAs (110) substrates.Measurement results by XRD,XPS,and TEM indicate that the polycrystalline crystal GaN with hexagonal structure is successfully grown.An intense room temperature photoluminescence peak at 368nm of the films is observed.更多还原

【关键词】 GaN薄膜； GaAs(110)衬底；光致发光；溅射后退火反应法；
【Key words】 GaN films； GaAs (110) substrates； photoluminescence； sputtering post annealing reaction technique；

【基金】国家自然科学基金资助项目 (批准号 :67710 0 6)~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年04期

【分类号】TN304.23
【被引频次】5
【下载频次】119

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