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一种紧缩型的SOI3- d B多模干涉耦合器(英文)

Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator

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【作者】 严清峰余金中刘忠立

【Author】 Yan Qingfeng 1,Yu Jinzhong 1 and Liu Zhongli 2(1 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) (2 Microelectronics R&D Center,Institute of Semiconductors,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室中国科学院半导体研究所微电子中心 北京100083北京100083北京100083

【摘要】 采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) .与普通的矩形结构 3- d B MMI耦合器相比 ,该器件长度减少了 4 0 % .耦合器输出均衡度为 1.3d B,过剩损耗为 2 .5 d B.

【Abstract】 An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.Comparing with the conventional straight MMI coupler,the device is ~40% shorter in length.The device exhibits uniformity of 1 3dB and excess loss of 2 5dB.

【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ;698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 3 66)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TN252
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】90
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