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0.275μm nMOST’s中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响(英文)

Effect of Band Trap Band Current on DCIV Spectrum Peaks at LDD Drain Region in 0.275μm nMOST’s

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【Author】 Liu Dongming,Yang Guoyong,Wang Jinyan,Xu Mingzhen and Tan Changhua(Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China)

【机构】北京大学微电子学研究所；北京大学微电子学研究所北京100871；北京100871；北京100871；

【摘要】应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱 .测试和分析的结果显示 ,一股额外的漏端电流影响了 DCIV谱峰中表征漏区的 D峰 .这股电流主要是陷阱辅助隧穿电流 .更多还原

【Abstract】 Interface traps generated under hot carrier (HC) stress in LDD nMOST’s are monitored by the direct current current voltage (DCIV) measurement technique and charge pumping (CP) technique.The measured and analyzed results show that the D peak in DCIV spectrum,which related to the drain region,is affected by a superfluous drain leakage current.The band trap band tunneling current is dominant of this current.更多还原

【关键词】 direct-currentcurrentvoltage(DCIV)；热电子；可能性；陷阱辅助隧穿电流；电荷泵(CP)；
【Key words】 direct current current voltage (DCIV)； hot carrier； reliability； band trap band current； charge pumping (CP)；

【基金】国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年02期

【分类号】TN386.1
【下载频次】100

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