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电子束纳米光刻技术研究

E-beam nano-lithography technology research

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【作者】 刘玉贵王维军罗四维

【Author】 LIU Yu gui,WANG Wei jun,LUO Si wei (The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051河北石家庄050051河北石家庄050051

【摘要】 纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。

【Abstract】 Nano lithography technology plays a very important role in the field of nano electronic manufacturing, while e beam lithography is one of the best ways to produce nano features. Using VB5 e beam exposure system, gold lift off fine lines of 17nm, fine spaces between metal lift off electrodes of 10nm, and fine T gates of about 100nm have been made.

【关键词】 电子束光刻纳米图形剥离技术
【Key words】 e beam lithographynano featuresmetal lift off
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年Z1期
  • 【分类号】TN305.7
  • 【被引频次】2
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