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一种Au-Si键合强度检测结构与试验

The test structure and examination of Au-Si bonding intensity

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【作者】 王翔李婷王玮王颖田大宇张大成

【Author】 WANG Xiang,LI Ting,WANG Wei,WANG Ying,TIAN Da yu,ZHANG Da cheng (Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China)

【机构】 北京大学微电子学系北京大学微电子学系 北京100871北京100871北京100871

【摘要】 设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au Si键合强度 ,其数值高于硅片基体本身的强度

【Abstract】 A test structure of Au Si bonding intensity has been designed. When the bonding interface is cracked, the values of l and a will be measured by microscope. The bonding intensity can be calculated by the values of l, a, and P. Two different bonding intensities can be compared with the same size of the structure. The structure may be used for measuring and comparing the similar kinds of bonding intensities. The Au Si bonding intensity is gotten by a series of press arm style experiments of the structure. This value is bigger than the intensity of the Si substrate.

【关键词】 共晶键合芯片
【Key words】 goldsiliconeutectic bondingchip
【基金】 国家重点基础研究发展规划项目(973 )合同号 :G19990 3 3 10 8
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年Z1期
  • 【分类号】TN407
  • 【被引频次】6
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