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碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)
The growth methods and applications of wide band-gap semiconductor SiC
【摘要】 概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。
【Abstract】 The main characteristics and growth methods of SiC materials are s ummarized.Its applications in the fields of microelectronics and optoelectronic s are also introduced.The trends of the development of SiC materials and the e xisting problems are appraised and commented.
- 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年09期
- 【分类号】TN304.05
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