节点文献

碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)

The growth methods and applications of wide band-gap semiconductor SiC

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 王强李玉国石礼伟孙海波

【Author】 WANG Qiang,LI Yu-guo,SHI Li-wei,SUN Hai-bo (Institute of Semiconductors,Shandong Normal University,Jinan250014 ,China)

【机构】 山东师范大学半导体研究所山东师范大学半导体研究所 山东济南250014山东济南250014山东济南250014

【摘要】 概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。

【Abstract】 The main characteristics and growth methods of SiC materials are s ummarized.Its applications in the fields of microelectronics and optoelectronic s are also introduced.The trends of the development of SiC materials and the e xisting problems are appraised and commented.

  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年09期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】357
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络