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高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性

Properties of photocurrent in GaN-based MSM Ultraviolet Photodetectors

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【Author】 YUAN Jinshe1,2, CHEN Guangde2, XIE Lunjun2(1. Dept. of Applied Physics, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, CHN; 2. Dept. of Applied Physics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, CHN)

【机构】西安理工大学应用物理系；西安交通大学应用物理系；西安交通大学应用物理系陕西西安710048西安交通大学应用物理系陕西西安710049；陕西西安710049；陕西西安710049；

【摘要】用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器。研究发现在5V偏压,365nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级。未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特性呈线性关系,器件的暗电阻出现低阻现象。更多还原

【Abstract】 Thet metalsemiconductormetal(MSM) ultraviolet photoconductive detectors have been fabricated using compound metals interdigital contacted with high resistant GaN film. It has been found that the photocurrent of the device exhibits vibrating property when it decays at 5V bias voltage and 365nm light excitation. The linear dark IV characteristic and lower dark resistance of the MSM structure without annealing treatment have been also observed.更多还原

【关键词】 GaN薄膜； MSM结构；光电流特性；
【Key words】 GaN film； MSM ultraviolet detectors； photocurrent characteristic；

【文献出处】半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2003年05期

【分类号】TN23
【被引频次】2
【下载频次】171

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