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1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
Growth of 1.55 μm Polarization-insensitive Semiconductor Optical Amplifier
【摘要】 采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
【Abstract】 InP/InGaAsP tensile strained multiple quantum wells are grown by MOCVD technique. The strain magnitude of quantum well is adjusted according to the intensities of TE and TM outputs from the fabricated broad lasers. The structure of polarizationinsensitive semiconductor amplifier is obtained.
【关键词】 半导体光放大器；
偏振不灵敏；
宽接触激光器；
【Key words】 semiconductor optic amplifier； polarization insensitivity； broad laser；
【Key words】 semiconductor optic amplifier； polarization insensitivity； broad laser；
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 0 0 0 0 3 660 5)
- 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2003年04期
- 【分类号】TN253
- 【下载频次】39