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原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响

INFLUENCE OF ATOMIC RELAXATION TO ELECTRONIC STRUCTURE OF ZnS(110) SURFACE

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【作者】 马丙现贾瑜申三国范希庆

【Author】 Ma Bingxian\ Jia Yu\ Shen Sanguo\ Fan Xiqing (Key Lab.of Material Physics,Zhengzhou University)

【机构】 郑州大学材料物理重点实验室

【摘要】 用总能量最小方法,确定了ZnS(110)表面的原子几何结构,得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果.利用格林函数的散射理论方法,计算了ZnS(110)表面的电子结构.在此基础上,讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响.

【Abstract】 The total energy minimization method is applied to predict the minimimum energy atomic geometries of the ZnS(110) surface.The predicted geometries is shown to be in good correspondence with the determined by elastic low energy electron diffraction intensity analyses.The electronic structure of ZnS(110) surface is studied by the green′s function scattering theoretic approach.The influence of lattice retxation to surface electronic properties are discussed.

【基金】 河南省自然科学基金
  • 【文献出处】 郑州大学学报(自然科学版) ,JOURNAL OF ZHENGZHUOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION) , 编辑部邮箱 ,1998年03期
  • 【分类号】O472.1
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】74
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