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GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜

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【机构】复旦大学应用表面物理国家重点实验室；复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433；上海 200433；上海 200433；

【摘要】用加热分解α-G₂S₃的方法在GaAs（100）表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。更多还原

【关键词】硫钝化；气相淀积；价带偏移；

【基金】国家自然科学基金(批准号:19525410)

【文献出处】自然科学进展 , 编辑部邮箱 ,1998年05期

【分类号】O484.1
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