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PZT铁电薄膜的掺杂改性

Modified Properties of Doped PZT Ferroelectric Thin Films

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【作者】 王培英余大年刘梅冬曾亦可饶韫华

【Author】 Wang Peiying Yu Danian Liu Meidong Zeng Yike Rao Yunhua (Dept. of Solid State Electronics,Huazhong University of Science and Technology ,Wuhan,430074)

【机构】 华中理工大学固体电子学系

【摘要】 用溶胶-凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Pb的PZT铁电薄膜。探讨了添加剂对PZT铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明,过量r(Pb)6%或掺高价离子r(Y)3%能较大地改善PZT铁电薄膜的电性能。

【Abstract】 PZT ferroelectric thin films with high valence ion Y +3 doped and exceed Pb were prepared by Sol Gel method.The effect of additives on structure and electrical characteristics of the PZT thin films was investigated.

【关键词】 溶胶-凝胶掺杂疲劳PZT
【Key words】 Sol GeldopingfatiguePZT
【基金】 国家863科研项目
  • 【文献出处】 压电与声光 ,PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS , 编辑部邮箱 ,1998年02期
  • 【分类号】TM221
  • 【被引频次】20
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