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激光脉冲法研究多孔SiO2薄膜的纵向热导率

Thermal Conductivity of Porous SiO2 Films on Silicon Substrate by Laser Flashing

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【作者】 刘芸师文生任巍张良莹姚熹

【Author】 Liu Yun Shi Wensheng Ren Wei Zhang Liangying Yao Xi (Xi′an Jiaotong University,710049,Xi′an)

【机构】 西安交通大学!710049西安

【摘要】 采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多孔SiO2 薄膜的热导率测试结果表明 :薄膜化有利于降低材料的热导率 ,提高隔热效果 ;随着孔率增大 ,薄膜热导率明显下降 ;溶胶 凝胶法制备的孔率为 4 0 %的SiO2 多孔薄膜的热导率为 0 11W /m·K ,属隔热材料 .

【Abstract】 A laser flash method for the measurement of longitudinal thermal conductivity of porous films is proposed. The results show that the thermal conductivity of SiO 2 thin films is lower than that of bulk silica. The thermal conductivity of porous SiO 2 films decreases with increasing porosity. It is about 0 11 W/m·K for 40% porosity by the sol-gol process.

【基金】 国家“八六三”高技术新材料领域研究资助!项目 (86 3 715 0 5 0 1 0 3)
  • 【文献出处】 西安交通大学学报 ,Journal of Xi’an Jiaotong University , 编辑部邮箱 ,1998年09期
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】198
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