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半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层

Diffusion Barrier Layer in Ohmic Contact of Semiconductor Devices

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【作者】 张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地

【Author】 Zhang Wanrong,Li Zhiguo,Guo Weiling,Sun Yinghua,Mu Fuchen,Cheng Yaohai,Shen Guangdi (Reliability Physics Laboratory,Department of Electronic Engineering,Beijing Polytechnic University,Beijing,100022)

【机构】 北京工业大学电子工程系可靠性物理研究室

【摘要】 为提高半导体器件欧姆接触的可靠性,一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性,并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。

【Abstract】 In order to improve ohmic contact reliability of semiconductor devices,the diffusion barrier layer is introduce into matallization system In this paper,the diffusion barrier layer types and properties are presented and discussed,and the comparison among them are made also The examples of the practically successful applications are given

【基金】 北京市科技新星计划基金
  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,MICROELECTRONICS & COMPUTER , 编辑部邮箱 ,1998年05期
  • 【分类号】TN305.4;TN305.93
  • 【被引频次】21
  • 【下载频次】505
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