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自组织生长锗量子点的库仑荷电效应

COULOMB CHARGING EFFECT IN SELFASSEMBLED Ge QUANTUM DOTS

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【作者】 张胜坤； 蒋最敏； 王迅；

【Author】 Zhang Shengkun\ Lu Fang\ Jiang Zuimin\ Wang Xun (National Laboratory of Applied Surface Physics,Fudan University,Shanghai\ 200433)

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室；

【摘要】 将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构．

【Abstract】 Admittance spectroscopy is applied to study semiconductor GeSi quantum dots.We observed Coulomb charging effect and the discrete energy level structure of Ge quantum dots with the typical diameter 13nm.

【关键词】 量子点； 导纳谱； 库仑荷电效应；
【Key words】 quantum dot； admittance spectroscopy； Coulomb charging effect；
【基金】 国家科学技术委员会攀登计划资助
  • 【分类号】O413.2
  • 【被引频次】12
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