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宽禁带半导体SiC的离子束合成、掺杂、隔离与智能剥离

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【作者】 黄继颇； 王连卫； 林成鲁；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景．文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成、掺杂、器件隔离和智能剥离．

【关键词】 碳化硅； 离子注入； 智能剥离；
  • 【分类号】O613.7
  • 【被引频次】2
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