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铜价态对Zns掺铜电子结构的影响

EfFect of DifFerent Valence-state of Copper on the Electronic Structure of ZnS Doped with Copper

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【作者】 张志鹏沈耀文黄美纯

【Author】 ZIsang zhipeng; SIsen Yaowen; Huang ac]Chlln(Department of Physics, Xiamen University Xiamen 361005 )

【机构】 厦门大学物理系!厦门361005

【摘要】 本文使用LMTO-ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构,分析了两种不同铜价态的影响.结果表明:尽管两种情形下禁带中铜3d能级均靠近价带顶,但掺杂二价铜时发光中心的能级结构符合Schon-Klasens模型,而掺杂一价钢的结果支持Williams-Prener模型.

【Abstract】 The electronic structures of luminescence centers in wurtzite ZnS doped withcopper are studied by using first--principles linear muffin ~tin--orbital method corn-biniflg atomic sphere approximation. The effect of monovalent or divalent oxidationstate of copper has been considered. Although tile levels of Cu 3d--like states appear in the forbidden gap and are located near the top of valence band in bothcasesg our results for ZnS:Cu2+ support the Sob6n--Klasens model while calculationsfor ZnS.Cu,:Vs (where Vs denotes sulfur vacancies) support the Williams--Prenermodel.

【基金】 国家高技术863-715-10资助
  • 【文献出处】 量子电子学报 ,CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1998年06期
  • 【分类号】TN244
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】91
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