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镶嵌在SiO2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备

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【作者】 朱开贵； 石建中； 魏彦峰； 张立德；

【机构】 中国科学院固体物理研究所!合肥230031； 复旦大学表面物理国家重点实验室!上海200433；

【摘要】 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2 复合薄膜的结构和成分进行了分析

【关键词】 纳米InSb； 磁控溅射； 量子限域效应；
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】12
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