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在冷轧的Ni基底上沉积CeO2缓冲层
【摘要】 在有和无离子束辅助两种情形下 ,在冷轧Ni基底上制备了CeO2 薄膜 ,结果表明 ,无离子束辅助沉积时 ,薄膜表现出 (111)取向 ,在离子能量为 2 4 0eV、束流为 2 0 0 μA/cm2 、基片温度为 36 0℃的条件下沉积的CeO2 薄膜呈现出良好的 (0 0 2 )外延取向和平面内织构
【关键词】 CeO2；
缓冲层；
冷轧Ni基底；
离子束辅助脉冲激光沉积；
【基金】 国家超导中心资助项目
- 【文献出处】 科学通报 , 编辑部邮箱 ,1998年12期
- 【分类号】O484
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