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Gd膜在Ni(110)上生长的同步辐射研究
【摘要】 应用同步辐射 (hν =10 0eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论 .
【基金】 国家自然科学基金!(批准号 :2 947312 9);合肥国家同步辐射实验室基金!(批准号 :934 8)资助项目
- 【文献出处】 科学通报 , 编辑部邮箱 ,1998年10期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】2
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