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Ar离子辐照单晶Si引起的顺磁缺陷研究

Paramagnetic Defect Production in Silicon After112MeV Ar Ion Irradiation

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【作者】刘昌龙；侯明东；朱智勇；程松；李保权；孙友梅；王志光；金运范；李长林；王引书；孟庆华；

【Author】 $$$$Liu Changlong ; Hou Mingdong; Zhu Zhiyong; Cheng Song; Li Baoquan; Sun Youmei; Wang Zhiguang; Jin Yunfan; Li Changlin ;Wang Yinshu; Meng Qinghua (Institute of Modern Physics. The Chinese Academy of Sciences, Lanzhou730000)

【机构】中国科学院近代物理研究所；

【摘要】采用电子顺磁共振研究了１１２ＭｅＶＡｒ离子５０Ｋ以下的低温辐照的单晶Ｓｉ中缺陷产生和退火效应。结果表明：Ａｒ离子辐照Ｓｉ引起了中性四空位（Ｓｉ－Ｐ３心）．非晶化区域等缺陷的形成，Ｓｉ－Ｐ３心分布在电子能损起主导作用的辐照区域，并在２００℃的退火温度消失，伴随着四空位的退火，复杂的空位团，如Ｓｉ－Ｐ１心．Ｓｉ－Ａ１１心等出现，并保持到较高的温度。孤立的非晶区域的完全再结晶发生在３５０℃左右的退火温度，理论估算表明低剂量Ａｒ离子辐照Ｓｉ产生的非晶区域的半径分布在１６－２０Ａ之间，定性地讨论了结果。更多还原

【关键词】 Ar离子辐照；缺陷；电子顺磁共振；等时退火；

【基金】国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金,中国科学院“九五”重点项目

【文献出处】高能物理与核物理 ,HIGH ENERGH PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS , 编辑部邮箱 ,1998年09期

【分类号】O774
【被引频次】1
【下载频次】57

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