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利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率

Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell

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【Author】 Wang Ruifeng Cai Borong Hu Yu Hong Yonghe Ren Wenhua (Department of Opto electronic Technology, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054) Tian Rongsheng (Department of Electrical Engineering, University of Delawa

【机构】电子科技大学光电子技术系；

【摘要】采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变，即“光电压”信号作为频率标准，对ＩｎＧａＡｓＰ长波长半导体激光器进行稳频。更多还原

【Abstract】 The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.更多还原

【关键词】 InGaAsP半导体激光器；频率稳定性；放电吸收池；光电流效应；
【Key words】 InGaAsP semiconductor laser； frequency stabilization； discharge absorption cell； optogalvanic effect；

【基金】电子科学研究院预研基金

【文献出处】中国激光 , 编辑部邮箱 ,1998年01期

【分类号】TN253
【被引频次】4
【下载频次】78

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