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InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延

LPE of InGaAsP/GaAs Semiconductor Lasers

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【作者】 薄报学朱宝仁张宝顺高欣任大翠张兴德

【Author】 Bo Baoxue Zhu Baoren Zhang Baoshun Gao Xin Ren Dacui Zhang Xingde (High power Semiconductor Laser Lab, Changchun Institute and Optical of Fine Mechanics, Changchun 130022)

【机构】 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室

【摘要】 利用一种改进的液相外延技术进行了GaAs衬底上InGaAsP材料的生长,10K温度下光荧光半宽度(FWHM)为14meV,获得了阈值电流密度为300A/cm2的SCH多层结构外延片,宽台面激光器最大连续输出功率达到2.1W。

【Abstract】 A modified liquid phase epitaxy method was used to grow InGaAsP materials on the GaAs substrate. The FWHM of photoluminescence at 10 K was 14 meV, wafers of SCH multilayer epitaxial structures were obtained with a threshold current density of 300 A/cm 2, and the hgihest CW output power obtained from wide stripe lasers was 2.1 W.

【关键词】 液相外延分别限制异质结构阈值电流密度
【Key words】 LPESCHthreshold current density
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】3
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