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Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟

Analytical Models and Simulation of Frequency Characteristics of Si/SiGe/Si HBTs

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【作者】 张万荣罗晋生李志国孙英华穆甫臣程尧海陈建新沈光地

【Author】 Zhang Wanrong; Li Zhiguo; Sun Yinghua; Mu Fuchen;Cheng Yaohai; Chen Jianxin; Shen Guargdi (Dept. of Electronic Eng., Beijing Polytechnic Univ., 100022, CHN) Luo Jinsheng(Institute of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., 710049, CHN )

【机构】 北京工业大学电子工程系!100022西安交通大学微电子研究所!710049

【摘要】 用解析的方法模拟了T=300K和77K时,fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系,在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时,还建立了与之相应的Si/SiGeeb异质结和SiGe/Sibc异质结电容模型。

【Abstract】 The two importance parameters of frequency characteristics are cutoff frequence (f T ) and maximum frequency of oscillation (fmax ). In this paper,while effects of heterojunction barrier under high current density are taken into account, the dependence of fT and fmax on the collector current density at 300 K and77 K is modelled and simulated analytaically. The simulation results are in agreement with published numerical and experimental results. Meanwhile the heterojunction capacitance models for eb junction under forward voltage and for be junction under various collector currents are developed.

【基金】 国家教委博士点基金;北京市科技新星计划基金;电子部5所国家重点实验室基金
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1998年03期
  • 【分类号】TN322.8;TP391.72
  • 【被引频次】6
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