多孔硅中电子光跃迁过程的研究-中国学术期刊网络出版总库

中国学术期刊网络出版总库

关闭

多孔硅中电子光跃迁过程的研究

推荐 CAJ下载

PDF下载

【英文篇名】	Investigation on Transition Mechanism for Electrons in Porous Silicon
【下载频次】	★☆
【作者】	薛舫时;
【英文作者】	Xue Fangshi(National Key Lab. for Superlattices; Beijing 100083; CHN; Nanjing Electron Devices Institute; 210016; CHN);
【作者单位】	半导体超晶格国家重点实验室; 100083南京电子器件研究所; 210016;
【文献出处】	固体电子学研究与进展 , RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS, 编辑部邮箱 1998年 01期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	多孔硅; 光跃迁; 选择定则; 复合纳米发光材料;
【英文关键词】	Porous Silicon; Optical Transition; Selection Rule; Composite Nanometer; Luminous Material;
【摘要】	用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的各类电子状态。分析了各种状态的能带属性及其量子限制特性，从而解释了实验中观察到的量子限制态和非量子限制态。在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元，得出了带内和带间状态间的跃迁选择定则。运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰。最后从多孔硅发光特性与半导体材料及杂质、缺陷发光的对比中阐明了这种纳米发光材料的特征。由此笔者提出了研究硅一氧化硅复合纳米材料来开发新的硅基发光材料、器件和集成电路的新途径。
【英文摘要】	By using a band mixing model in nanometer material composed of Siand SiO2, various electronic states in porous silicon are investigaed in this paper.Through the analysis of band attribution and quantum confined characteristic forvarious states, the quantum confined states and non-confined states observed experimentally are explained. Under the framework of effective mass theory, the optical transition probability between different energy levels is calculated from whichthe transition selection rule is obtain...
【基金】	国家自然科学基金
【分类号】	O471.4
【正文快照】	1引言多孔硅的发光机理一直是研究的焦点。早期的研究集中讨论产生高效发光的机理，提出了量子限制模型、非晶硅发光模型和与表面、缺陷有关的发光模型。这些模型在解释多孔硅的发析这些实验结果的基础上，提出了纳米硅丝在多孔状表面结构产生的表面散射势作用下感生能带混合而

xxx

【相似文献】

中国期刊全文数据库

中国优秀硕士学位论文全文数据库

中国博士学位论文全文数据库

中国重要会议论文全文数据库

中国重要报纸全文数据库

中国学术期刊网络出版总库

点击下列相关研究机构和相关文献作者，可以直接查到这些机构和作者被《中国知识资源总库》收录的其它文献，使您全面了解该机构和该作者的研究动态和历史。

【文献分类导航】从导航的最底层可以看到与本文研究领域相同的文献，从上层导航可以浏览更多相关领域的文献。

数理科学和化学
　

物理学
　　

半导体物理学
　　　

半导体理论
　　　　

半导体晶体物理


	CNKI系列数据库编辑出版及版权所有：中国学术期刊(光盘版)电子杂志社中国知网技术服务及网站系统软件版权所有：清华同方知网(北京)技术有限公司其它数据库版权所有：各数据库编辑出版单位（见各库版权信息）京ICP证040431号互联网出版许可证新出网证（京）字008号

相似文献

文献分类导航