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等离子体活性氮源的研制  
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【英文篇名】 Fabrication of a Radical Nitrogen Source
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【作者】 王善忠; 许颐璐; 姬荣斌; 巫艳; 俞锦陛; 乔怡敏; 于梅芳; 杨建荣; 何力;
【英文作者】 Wang Shanzhong; Xu Yilu; Ji Rongbin; Wu Yan; Yu Jingbi; Qiao Yiming; Yu Meifang; Yang Jianrong; He Li (Epitaxy Research Center for Advanced Materials and National Laboratory for Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics; the Chinese Academ;
【作者单位】 中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室; 上海交通大学应用物理系; 200030; 中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究?;
【文献出处】 光电子技术 , OPTOELECFRONIC TECHNOLOGY, 编辑部邮箱 1998年 01期  
期刊荣誉:ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 射频激励; 等离子体; 活性氮源; p型ZnSe单晶薄膜; 蓝绿色激光二极管;
【英文关键词】 radio frequency; plasma; active nitrogen; p-ZnSe; blue-green laser diode;
【摘要】 ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下,利用装备有该氮源的国产FW-Ⅲ型分子束外延设备,成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~2.3×1020cm-3;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]为~5×1017cm-3,已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(~4.0×1017cm-3)。
【英文摘要】 With the adoption of a plasma activated nitrogen source,the net hole concentration in ZnSe could be raised up to~1×1018 cm-3, a value which is almost an order of magnitude higher than what the conventional doping technique cOuld reach. Nevertheless, the plasma nitrogen source is too expensive for the Chinese laboratories to consume. We report here a simplified plasma nitrogen source which could be used in the MBE doping of p-ZnSe: N, whose principle part is a quartz tube. The source is activated by means of...
【基金】 国家杰出青年基金; 上海市应用物理中心资助
【分类号】 TN24
【正文快照】 191言Znse由于具有适合蓝绿色发光的直接带隙,几十年来人们一直希望利用Znse基材料制作蓝绿色发光器。来自两方面的困难阻碍Znse基蓝绿色发光器的实现,一是无法生长出符合器件要求的高质量的单晶材料,一是由于!-VI族材料的自补偿效应而无法实现P型重掺杂。随着分子束外延?

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