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过冷度对Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs LPE生长的影响

The Effect of Supercool on Liquid Phase Epitaxy Growth of ⅢⅤ Quinary AlGaInPAs

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【作者】 徐自亮徐万劲李力杨澄清刘弘度

【Author】 XU Ziliang XU Wanjin LI Li YANG Chengqing LIU Hongdu(National Lab of Mesoscopic Physics,Department of Physics,Peking University,Beijing,100871)

【机构】 介观物理国家重点实验室北京大学物理学系

【摘要】 计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对Al-GaInPAs外延层的固相组分有显著影响,但对外延层的其他性质没有影响。

【Abstract】 The contour of the energy bandgap of ⅢⅤ quinary,AlGaInPAs,lattice matched to GaAs has been calculated,and the segregation coefficient of Al in the solution used for growing AlGaInPAs/GaAs has been analysised.The effect of supercool on the solid composition of AlGaInPAs on GaAs,resulted from Al’s segregating from the solution,has been demonstrated experimentally,no effect on other characteres was found.

【关键词】 五元系AlGaInPAs液相外延过冷度
【Key words】 QuinaryAlGaInPAsliquid phase epitaxy(LPE)supercool
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 北京大学学报(自然科学版) ,ACTA SCICENTIARUM NATURALUM UNIVERSITIS PEKINESIS , 编辑部邮箱 ,1998年05期
  • 【分类号】TN304.054
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