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UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究

Characterization of Silicon Epitaxial Layers Growth at Low Temperature by UHV/CVD

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【Author】 Ye Zhizhen, Cao Qing, Zhang Kan, Chen Weihua, Wang Lei, Li Xianhang, Zhao Binghui, Li Jianguang, Lu Huanming(State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027)

【机构】浙江大学硅材料国家重点实验室；

【摘要】本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分布陡峭的薄外延层更多还原

【Abstract】 Abstract Silicon epitaxial layers were grown at 780℃ in an ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition reactor successfully.SEM,TEM and SPR(spreading resistance measurements) were used to characterize the layers.Results show that the layers having smooth surfaced,low fault density and steep transition region were obtained.更多还原

【关键词】外延层； UHV/CVD；低温生长；杂质分布；缺陷密度；化学气相沉积；扩展电阻；外延技术；自掺杂；分子束外延；

【基金】国家教委“跨世纪优秀人才”基金,国家自然科学基金,南京大学固体微结构国家重点实验室开放课题资助

【文献出处】半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1998年08期

【分类号】TN304.120.54
【被引频次】6
【下载频次】69

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