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分子束外延系统中生长Si/SiO2超晶格及其发光

Growth of Si/SiO 2 Superlattices in MBE System and Its Luminescence

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【作者】 林峰; 盛篪; 龚大卫; 刘晓晗;

【Author】 Lin Feng, Sheng Chi, Gong Dawei, Liu Xiaohan(State Key Laboratory of Surface Physics,Fudan University, Shanghai 200433)

【机构】 复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室;

【摘要】 在硅分子束外延(MBE)系统中,利用Si和O2共淀积的方法生长出化学配比理想的SiO2,在此基础上生长了Si/SiO2超晶格并观察到其光致发光(PL)谱

【Abstract】 Abstract By using the technique of Si and O 2 codeposition,SiO 2 with perfect stochiometry has been grown in a molecular beam epitaxy system. We have designed a structure of Si/SiO 2 superlattices and observed its photoluminescence under the excitation of Ar + laser.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1998年08期
  • 【分类号】O472.3,TN304.120.5
  • 【被引频次】11
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