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磷钨酸涂覆ISFET制作DrugFET的研究

Study on the Ion Sensitive Field Effect Transistor Modified with Phosphotungstic Acid to Make DrugFET

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【作者】 李先文; 黄强;

【Author】 Li Xianwen,Huang Qiang (Laboratory of Chemical Sensors,Weinan Teachers College,Shanxi Weinan 714000)

【机构】 渭南师专化学传感器研究室;

【摘要】 用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管(ISFET)制成药物敏感场效应晶体管(DrugFET)。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定,所得结果和药典分析结果一致。

【Abstract】 The ion sensitive field effect transistor(ISFET) modified with phosphotungstic acid is presented,and a kind of DrugFET is made.It’s a solid state,small size and can be miniaturized and integrated.It has been used for the determination of dioxopromethazine in medicinal tablet.The results were in agreement with the pharmacopoeia of China.

【基金】 陕西省科学基金
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1998年05期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】1
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