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超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究

The Study of Si SurfaceTreating BeforeGrowing UltraThin Gate Dielectric Films

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【作者】 熊大菁侯苇

【Author】 Xiong Dajing,Hou Wei(Institute of Microelectronics,Qinghua University,Beijing 100084)

【机构】 清华大学微电子所

【摘要】 在超薄栅介质膜的制备技术中,膜生成前,用稀HF酸进行表面处理,能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高,从而使膜的击穿、漏电得到改善。

【Abstract】 Surfacetreating using the dilute HF before growth of dielectric films has been investigated in the preparation of ultrathin gate dielectric films.Surfacetreating can increase the uniformity and the integrality of ultrathin films,then improve breakdown characteristics and decrease leakage current of the films.

  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1998年04期
  • 【分类号】TN304.12,TN305.2
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