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用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究
Study on Ultra Thin Gate Dielectric Film Used in ULSI Circuit
【摘要】 制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下用Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合于ＵＬＳＩ的应用。
【Abstract】 The NMOSFET with ultra thin gate(6～7nm) have been made.Compared with SiO 2 film,the ultra thin SiO xN y film prepared by N 2O under proper process can be better used in ULSI applications.
【关键词】 超薄栅介质膜；
击穿特性；
漏电流；
热载流子应力；
【Key words】 Ultra thin dielectric film Breakdown characteristics Leakage current Hot carrier stress；
【Key words】 Ultra thin dielectric film Breakdown characteristics Leakage current Hot carrier stress；
- 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1998年02期
- 【分类号】O484
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