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光敏三极管光电特性

Photoelectric properties of phototransistors

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【作者】 石仲斌

【Author】 SHI Zhongbin (Wuhan Microelectronic Technology Research Center,CSRDA,Wuhan 430072,CHN)

【机构】 中国舰船研究院微电子中心

【摘要】 给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型,在一维条件下得到理想光敏三极管的电流-电压(I-V)关系式。这些式子比较全面地描述了器件的基本特性,可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时,利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论,指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种,且这种工作方式的器件的灵敏度和探测率并未提高。

【Abstract】 A group of new equations are given in this report describing the basic DC and low frequency current-voltage characteristics of desirable phototransistors for one-dimensional model.Not only these equations can be used as a basic model of CAD for phototransistors,but they can also generally describe photoelectric properties of phototransistors.The experimental results agree quite well with the calculated value derived from these new equations.The photocurrent change in phototransistors under different voltage biased conditions is also discussed.Analysis shows that the injection photosensitive device is one of the phototransistors with the operation modes .It is found that photocurrent of the injection photosensitive devices is lower than that in the photodiodes.

  • 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1998年04期
  • 【分类号】TN364
  • 【被引频次】28
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