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光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用
Photochemical vapor deposition and its application in film preparation
【摘要】 介绍了光化学汽相淀积法的原理以及用ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律、特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。
【Abstract】 The principle of photoenhanced chemical vapor deposition (PVD) is presented firstly,followed by description of the rule and properties of film deposition using PVD-1000 machine.Finally,basic characteristics of deposited films such as SiO 2,Si 3N 4 and ZnS are given.
【关键词】 半导体材料；
光化学汽相淀积技术；
ZnS膜；
SiO2膜；
Si3N4膜；
【Key words】 Semiconductor Materials； PVD Technology； ZnS Films； SiO 2 Films； Si 3N 4 Films；
【Key words】 Semiconductor Materials； PVD Technology； ZnS Films； SiO 2 Films； Si 3N 4 Films；
- 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1998年01期
- 【分类号】TN304.055
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