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三源真空蒸发CuInSe2薄膜的性能
Performance of CuIuSe2 thin films by trisource vacuum co-evaporation
【摘要】 详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。
【Abstract】 In this paper an influence of preparing conditions, such as temperature of source and substrate, and Cu-In atomic ratio, on the performance of CuInSe2 thin films by trisource vacuum coevaporation is discussed in deail.
【关键词】 半导体薄膜材料；
太阳能电池；
CuInSe2薄膜；
【Key words】 Semiconductor Film Materials； Solar Cell； CuInSe2 Thin Film；
【Key words】 Semiconductor Film Materials； Solar Cell； CuInSe2 Thin Film；
【基金】 国家自然科学基金!59162002
- 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1998年02期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】14
- 【下载频次】91