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GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响

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【作者】 李桂英； 杨锡震； 孙寅官； 王亚非；

【机构】 北京师范大学物理系；

【摘要】 ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...

【关键词】 GaP； LED； 位错； LPE；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1997年05期
  • 【分类号】TB3
  • 【下载频次】45
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