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ULSI用硅片的缺陷与表面质量
【摘要】 提高大直径硅片质量的努力仍朝着提高晶体完整性、硅片表面的质量与洁净度等方向发展。新发现的ＣＯＰｓ缺陷与红外散射检出的微小缺陷是当前研究的重点。这些缺陷是在晶体生长过程中生成的，与晶体拉速和热历史有关，而且直接影响着ＵＬＳＩ的成品率。只靠调整拉晶条件，目前尚难以全面地改善单晶的质量。９０年代才引起注意的硅片微粗糙度对高集成度电路和成品率与直接键合硅片的质量有明显的影响。正在开发的硅片高温退火工艺可明显地改善硅片的晶体质量，但对硅片的微粗糙度却有一定的劣化作用。
- 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1997年03期
- 【分类号】TG337.3
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