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纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应
Columb Blockade Effect of Quantum Dots in the nc-Si: H Film
【摘要】 用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。
【Abstract】 The quantum dot diode is fabricated by using nc-Si:H film. The I-V characteristic is measured, and resonant tunneling phenomenon is observed. The results show that the quantum dots in nanocrystalline silicon result in Columb blockade effect.
【基金】 机械工业部科技基金;西安理工大学博士科研启动基金
- 【文献出处】 西安理工大学学报 ,JOURNAL OF XI’AN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年02期
- 【分类号】O471.1
- 【被引频次】7
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