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纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

Columb Blockade Effect of Quantum Dots in the nc-Si: H Film

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【作者】 余明斌王燕刘满仓马爱华

【Author】 Yu Mingbin;Wang Yan;Liu Mancang; Ma Aihua(Xi’an University of Technology. Xi’an 710048)

【机构】 西安理工大学理学院自动化与信息工程学院!西安710048

【摘要】 用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。

【Abstract】 The quantum dot diode is fabricated by using nc-Si:H film. The I-V characteristic is measured, and resonant tunneling phenomenon is observed. The results show that the quantum dots in nanocrystalline silicon result in Columb blockade effect.

【基金】 机械工业部科技基金;西安理工大学博士科研启动基金
  • 【文献出处】 西安理工大学学报 ,JOURNAL OF XI’AN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年02期
  • 【分类号】O471.1
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】253
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