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反应溅射制备TiN薄膜的靶中毒模型研究

STUDY ON TARGET POISONING MODEL OF TiN FILM DEPOSITED BY REACTION SPUTTERING

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【作者】 王敬义杨剑辉胡慧娟陈忠财张丽娜李振香王宇王颖

【Author】 Wang Jingyi; Yang Jianhui; Hu Huijuan ; Chen Zhong; cai Zhang Lina Li Zhenxaing; Wang Yu; Wang Yong(Department of Solid State Electronics, Huazhong University ofScience and Technology; Wuhan 430074)

【机构】 华中理工大学固体电子学系!武汉430074华?

【摘要】 从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据.建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响,从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾,为设计新型无中毒反应室提供了理论依据。

【Abstract】 The criterion of the target poisoning is. deduced from the target kinetics and theparticle transport process. The constructed poisoning model describes the effect ofprocessing parameters on target poisoning. The model provides the theoritical basis tosolve the contradiction between high growth rate and compositions matching of thefilm and to design novel poisoning-free reaction chamber.

【关键词】 反应溅射TiN薄膜靶中毒
【Key words】 reaction sputteringTiN filmtarget poisoning
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 微细加工技术 ,MICROFABRICATION TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】6
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